locos製程
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離, ...,▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
水平爐管個別原理
- locos sti比較
- pad oxide半導體
- high k metal gate製程
- shallow trench isolation解釋
- shallow trench isolation半導体
- sti divot
- 淺溝槽絕緣sti
- imd半導體
- shallow trench isolation半導體
- 淺溝槽絕緣sti
- locos sti比較
- 淺溝渠隔離
- deep trench isolation
- shallow trench isolation半導体
- 半導體製程順序
- 淺溝槽隔離
- 半導體contact via
- pad oxide半導體
- shallow trench isolation解釋
- shallow trench isolation半導體
- sti etch back
- sti淺溝槽
- shallow trench isolation中文
- usg半導體
- 屏蔽氧化層
1.介電材料,應用為氧化層的蝕刻Mask。2.不易被氧滲透可做為FieldOxide製作時,防止晶片表面ActiveArea.遭受氧化的MaskingLayer。即著名的LOCOS製程(Local ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **