esd佈局
ESD電壓。這STFOD在單位佈局面積下的ESD承受能力是NMOS.元件的四倍。因此,STFOD能夠在較小的佈局面積下提供足.夠的ESD防護能力來達到全晶片防護的效用。圖7.4.4-2 ...,8.1元件充電模式之防護設計(CDMESDProtection).在前面章節中所提之靜電放電防護電路,大都是用...
單一SoC 和多晶粒系統的靜電放電(ESD)防護設計
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設計具備ESD防護功能的晶片.在積體電路(integratedcircuit,IC)中,ESD事件通常會產生0.1-10安培的電流,並消耗10-100瓦特的能量。最大程度減少或防止靜電放電影響 ...
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