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淺溝槽絕緣sti
淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
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淺槽隔離(ShallowTrenchIsolation;STI)技術製作主動區域之間的絕緣結構已逐漸被普遍採用。STI結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化矽層,然後圖案化此氮化矽層 ...
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