sti淺溝槽
淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
浅槽隔离,即shallowtrenchisolation,简称STI。通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物,用于与硅 ...
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Ch13 Process Integration
淺溝槽絕緣(STI). ▫ LOCOS 和PBL 運作地很好當圖形尺寸> 0.5 μm 時. ▫ 當圖形尺寸< 0.35 μm為不能容忍的. ▫ 矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程 ...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(Shallow Trench Isolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
由 嚴永民 著作 · 2011 — 此論文主要研究目. 的就是即對淺溝槽隔離之差排進行分析探討熱製程所產生的應力,用不. 同內墊氧化矽層(Liner Oxide)與內墊氮化矽層(Liner Nitride)之溫度高低. Page 15. 5.
浅槽隔离
浅槽隔离,即shallow trench isolation,简称STI。通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物,用于与硅 ...
浅槽隔离工艺(STI)
2010年11月28日 — 相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文shallow trench isolation的简称,翻译过来为浅槽隔离工艺。
淺槽隔離
淺槽隔離,即shallow trench isolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...
淺槽隔離_百度百科
淺槽隔離,即shallow trench isolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...
淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰
從IC元件設計的觀點而言,淺溝. 渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術(LOCal Oxidation of Silicon, LOCOS). 擁有多項的製程及 ...