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sidewall spacer用途
2011年8月5日—侧墙的形成主要有两步:1.在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2.然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性,刻蚀工具使用 ...,,由李明才著作·1991—目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕刻的非等向性蝕刻...
具有奈米線通道的薄膜電晶體之氮化矽記憶體元件特性分析
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在本篇論文中,我們使用邊襯(sidewallspacer)過度蝕刻的方法製作具有奈米線通道之薄膜電晶體的氮化矽記憶體,另外還進一步結合了雙閘極的概念,並且對基本電特性、寫 ...
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