shallow trench isolation 用途
淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...,2014年12月19日—STI=ShallowTrenchIsolation.顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢...
淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰
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渠隔離技術(ShallowTrenchIsolation,.STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技.術...外，在實際製程應用上，可減少研漿.廢棄處理之成本，是化學機械研磨技.術的重大觀念 ...
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