metal gate半導體
metal gate半導體

2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極...

金屬氧化物半導體場效電晶體

因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下...金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-GateFieldEffectTransistor,IGFET）。

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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

TW201904063A

本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high-k last)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — 因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極會有空乏層，包含有三大問題 ... 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K，Poly gate換成metal gate。 涉及 ...

五分鐘讓你看懂FinFET

2015年9月15日 — 在圖一的MOSFET 中，「閘極長度（Gate length）」大約10 奈米，是所有構造中最細小也最難製作的，因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度，這 ...

具有不同臨界電壓的金屬閘極的半導體製程及半導體結構

Gate electrode with stabilized metal semiconductor alloy-semiconductor stack. KR102212267B1 * 2014-03-19 2021-02-04 삼성전자주식회사 반도체장치및그제조방법.

栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

2019年6月15日 — 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日 — 隨著傳統的半導體尺寸微縮，電晶體的閘極長度（gate length）也逐漸減小。實際上，閘極長度和技術節點的數值是不相等的，且在22 奈米技術節點以後，閘極 ...

金屬氧化物半導體場效電晶體

因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下 ... 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。

高介電係數閘極介層技術

... Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深. 次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵 ... △圖四Single Metal與Dual Metal Gate的能帶示意圖. Page 7. 第14 期電子與材料雜誌.

metalgate半導體

2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gatelast)製程與後閘極介電層(high-klast)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...,2023年6月11日—因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極會有空乏層，包含有三大問題....

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