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lpcvd原理
CVD原理.◇反應氣體從反應器的主氣流裏,藉著反應氣體在主氣流及晶片.表面間的...◇LPCVD法來沉積的薄膜,將具備較佳的階梯覆蓋能力。且.因為氣體分子間的碰撞頻率 ...,薄膜沈積機構發生順序:長晶→晶粒成長→晶粒聚結→縫道填補→沈積.膜成長。Page4.【LPCVDPolySi】壓...
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薄膜沈積機構發生順序:長晶→晶粒成長→晶粒聚結→縫道填補→沈積.膜成長。Page4.【LPCVDPolySi】壓力350mTorr.多晶矽,溫度620℃, ...
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