lpcvd原理
LPCVD技术原理(低压CVD).化学气相沉积(CVD)是一组工艺的通用名称,可定义为原料在气相条件下通过化学反应在加热表面上沉积固体。通常沉积温度:700–1000°C.,2024年4月2日—LPCVD:LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力,很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量、...
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低壓化學氣相沉積法(LowPressureChemicalVaporDeposition,LPCVD)是指.系統工作壓力低於㇐大氣壓下進行化學氣相沉積的方法(如圖6所示),㇐般將壓力控.制在1~100Pa下 ...
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