多晶矽電阻率

•多晶矽用來取代鋁當閘極金屬.•矽化物.–矽化鎢...厚度的薄膜電阻率或計算出薄膜厚度.厚度的薄膜電阻率...電阻:R=V/I=ρL/(wt)ρ().對長方形的電線,L=w ...,▫電阻率較多晶矽為低.▫TiSi.2.,WSi.2.,及CoSi.2.最常被使用.矽化物.多晶矽...電阻:R=V/I=ρL/(wt).對一正方形薄片,L=w,所以R=ρ/t=Rs.Rs.,其次，因使用一段多晶矽電阻使矽基體的表面電位線性化分佈祇能有一種變化，在本計畫中，將把多晶矽電阻分段並且由不同電阻係數構成，如...

參考資訊如下
金屬化製程

• 多晶矽用來取代鋁當閘極金屬. • 矽化物. – 矽化鎢 ... 厚度的薄膜電阻率或計算出薄膜厚度. 厚度的薄膜電阻率 ... 電阻: R = V/I = ρL/(wt) ρ ( ). 對長方形的電線, L = w ...

Ch11 Metallization

▫ 電阻率較多晶矽為低. ▫ TiSi. 2. , WSi. 2. , 及CoSi. 2. 最常被使用. 矽化物. 多晶矽 ... 電阻: R = V/I = ρL/(wt). 對一正方形薄片, L = w, 所以R = ρ/t = R s. R s.

成果報告資料顯示

其次，因使用一段多晶矽電阻使矽基體的表面電位線性化分佈祇能有一種變化，在本計畫中，將把多晶矽電阻分段並且由不同電阻係數構成，如此，可得到不同表面電位分佈，在比較 ...

低摻雜多晶矽應用於熱型感測元件之研究

本論文的研究主旨是以低劑量的各種雜質對多晶矽材料進行摻雜，並針對低摻雜多晶矽材料的電阻溫度係數(TCR)和雜訊進行探討，以評估多晶矽材料應用於熱型感測器之可行性 ...

高性能多晶矽電阻的參數控制及研製

本文是針對在不同參數的變因控制下，研製高性能、高穩定度的多晶矽電阻，以適應在各種ULSI電路中不同操作電壓和溫度的運用。其電阻特性的改良主要分成由五個部分來 ...

TWI642820B

所述N型多晶矽晶體具有一電阻率斜率與一缺陷面積佔比之斜率。在座標橫軸單位為固化分率以及座標縱軸單位為歐姆·公分(Ω·cm)時，在固化分率為0.25~0.8的電阻率斜率為0至-1.8 ...

矽晶切割廢泥的回收與多晶矽生長在太陽光電之應用研究

手動式四點探針面電阻值電阻率測量儀

手動式四點探針面電阻值/電阻率測量儀 ; 整套測量系統由測量主機RT-70V和不用應用的平臺組成 ; 測量主機為RT-70V ; 應用：半導體材料、太陽能電池材料(矽、多晶矽、碳化矽等) ...

薄膜電阻

使用這種概念的例子有：半導體的摻雜領域（比如矽或者多晶矽），以及被絲網印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻。薄膜電阻的概念與電阻或者電阻率相對，可直接用四端點 ...