locos製程
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離, ...,▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
(19)中華民國智慧財產局
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