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ldd半導體
由羅以倫著作·2010—降低糾結效應最直接的方法就是限制撞擊解離的貢獻,以使汲極接面的電場.降低,包括汲極輕摻雜(LDD)、汲極補償(DrainOffset)、多重閘極(MultipleGates).平均分攤汲極 ...,2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作...
TW201436052A
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...LDD)區,設於源極區或汲極區與通道區之間,其中輕摻雜汲極區位於間隔結構之下...半導體(semiconductoroninsulator,SOI)。隔離結構106可為介電材料,例如為氧化矽 ...
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