gate last技術
2010年7月22日—不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺,制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量,而且由于 ...,2015年11月4日—Gate-last在功耗控制能力上比較優秀,但是製程工序比較複雜,但複雜的工序...
28奈米製程
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此外,台積公司領先全球的28奈米製程技術以採用高介電層/金屬閘極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘 ...
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