gate-last製程

由蔡博安著作·2013—為了改善互補式金氧半電晶體的特性，用來取代n+／p+多晶矽閘極的金屬材料之功函數必須接近矽材料的導帶與價帶。閘極後製（GateLast）的製程方式已被提出可抑制在高溫 ...,2017年4月18日—Gate-Last顧名思義，是指晶圓製程階段，先經過離子佈植（將所需的摻雜元素電離成正離子，並施加高偏壓使其獲得一定的動能，以高速射入矽晶圓）、退火（ ...,...製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-kMetalGate，HKMG...

參考資訊如下
低溫微波退火應用於高介電薄膜／金屬閘極元件之研究

由 蔡博安 著作 · 2013 — 為了改善互補式金氧半電晶體的特性，用來取代n+／p+多晶矽閘極的金屬材料之功函數必須接近矽材料的導帶與價帶。閘極後製（Gate Last）的製程方式已被提出可抑制在高溫 ...

【晶圓代工爭霸戰】台積電與三星的愛恨糾葛

2017年4月18日 — Gate-Last 顧名思義，是指晶圓製程階段，先經過離子佈植（將所需的摻雜元素電離成正離子，並施加高偏壓使其獲得一定的動能，以高速射入矽晶圓）、退火（ ...

28奈米製程

... 製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...

新聞室

2009年12月10日 — 除了擁有此次新提出的混合型技術之外，自從業界採用Gate-last 技術量產CPU 之後，聯華電子也一直致力於Gate-last 技術之開發。聯華電子的先進製程開發 ...

详解Gate- first与Gate

2010年3月20日 — Gate-last阵营：目前已经表态支持Gate-last工艺的除了Intel公司之外（从45nm制程开始，Intel便一直在制作HKMG晶体管时使用Gate-last工艺），主要还有芯片 ...

Foundry 製程戰爭系列－ 二、三線晶圓廠的掙扎

2015年11月4日 — Gate-last 在功耗控制能力上比較優秀，但是製程工序比較複雜，但複雜的工序可以靠燃燒新鮮肝臟解決，Vt 臨界電壓必須透過材料的調配、精確的熱處理與蝕刻 ...

TWI535024B - 半導體結構及其製造方法

台積電28nm製程節點轉向Gate

2011年12月19日 — 去年夏季，一直走Gate-first Technology路線的台積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構製程技術中採用Gate-last Technology。不過 ...

台积电：28nm制程节点将转向Gate-last工艺

Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate- ...