fn穿隧原理

,...FN穿隧效應(FN-tunneling)，.而我們實驗使用的是FN穿隧效應，因此以下對其原理做說明。穿隧效應利用足夠的電壓差，使能帶彎曲，造成氧化層的有效寬度縮小，.能障變 ...,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。,由陳郁如著作·2004—1FN穿隧（Fowler-Nordheimtunneling）機制之原理.Fowler-Nordheim穿隧機制...F...

參考資訊如下
Retention Characteristic of SONOS Memory Cell SONOS 記憶 ...

一、報告摘要

... FN 穿隧效應(FN-tunneling)，. 而我們實驗使用的是FN 穿隧效應，因此以下對其原理做說明。 穿隧效應利用足夠的電壓差，使能帶彎曲，造成氧化層的有效寬度縮小，. 能障變 ...

半導體中的隧道效應

半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。

工學院專班半導體材料與製程設備學程

由 陳郁如 著作 · 2004 — 1 FN 穿隧（Fowler-Nordheim tunneling）機制之原理. Fowler-Nordheim 穿隧機制 ... FN 穿隧方式穿隧過氧化層的三角形. 能障，再注入到氮化矽層中。其臨界電壓（threshold ...

快閃記憶體偏壓影響之研究

這種穿隧過程主要是根據量子力學原理,其穿隧. 機率則 ... 隧氧化層容易捕捉電子造成寫入效率變差及臨限電壓下. 降 ... 圖15.源極端F-N與通道F-N抹除速度 tunneling into ...

第二十一章記憶體電路

(一) 結構特色與所用原理. 此種元件針對於EPROM 的改良 ... 穿隧，常簡稱為FN 穿隧現象。 (2) 這般修改的懸浮閘 ... 原理，則是：. (1) 寫入方式：運用熱電子累增注入效應.

綜觀非揮發性記憶體技術－SONOS 與奈米晶體元件

德翰穿隧機制進行訊號抹除(Fowler-Nordheim, FN). 的操作方式將會遇到困難(2)。為了避免這些限制，. 考慮使用氮化物缺陷或奈米儲存單元來儲存載子的. 新記憶體元件概念 ...

量子穿隧效應

在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantum tunneling effect）指的是，像電子等微觀粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。

高介電係數閘極介層技術

其中，閘. 極氧化層穿隧電流的產生，是因為當閘. 極氧化層厚度隨元件尺寸縮小而遞減至. 10nm以下時，FN穿隧機制上升，而至約. 3nm 以下，則由直接穿隧(Direct. Tunneling) ...