PCIe, 32GB, BiCS4 TLC NAND, DRAM-Less, C

十銓工控將全新112 層3D TLC 技術導入全系列Flash 產品，使記憶容量相較於BiCS4 提高近40%、I/O 效能提升約50%，滿足邊緣運算高容量及低延遲的傳輸需求。

鎧俠BiCS FLASH™ 提供1 Tb 每單元3 位元、三層單元(TLC) 和更高密度的QLC 技術，可實現更大的晶粒容量。鎧俠實現了業界最大的單晶片容量* 4 1.33 TB (Tb)，16 晶片堆疊架構 ...

KIOXIA 與Western Digital 在2020年推出的BiCS5 112-Layer 3D NAND 效能更勝BiCS4 ... NAND Flash: 3D TLC NAND Flash. 介面: PCIe® Gen3 x4 ... NAND Flash: 3D TLC NAND ...

點序PCIe SSD 主控AS2263 支援威騰BiCS4.5 TLC NAND Flash 採四通道設計，具備連續讀寫2300MB/s、1800MB/s 以上的高速效能展現絕佳效能 ...

Key Features · Advanced system level protection against unstable power · Software / hardware write protect option · Multiple user data security zones · Software ...

The evolving edge connectivity in Industry 4.0 and the role of memory. Learn about memory solutions for the industrial IoT and the edge from Micron.

2020年2月4日 — 據悉，BiCS5 將3D 堆疊層數從前一世代BiCS4 的96 層 ... TLC 儲存形式，單一晶粒容量為512Gbit，未來 ... BiCS4 的1.5 倍，也就是提升50％ 資料吞吐量 ...

2018年7月25日 — Westerm Digital近來與東芝Toshiba再度合作發表了新一代的96-layer BiCS4 3D NAND快閃記憶體晶片，並且透過QLC技術已經能夠讓單顆96-layer BiCS4 3D ...

2017年6月28日 — The fourth-generation BiCS NAND flash chips from Western Digital feature 96 layers and will include several capacity points and will use TLC and ...

2018年9月18日 — △XG6 採用2 個TH58LJT2T24BAEG 快閃記憶體封裝，單個封裝應為512GB/4 通道/TLC 記錄形式，除此之外Toshiba 並沒有公開相關資料。 效能表現透過BiSC4 和 ...