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淺溝槽隔離
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法:首先提供一半导体底材,其上具有一垫氧层;然后,形...
浅槽隔离工艺(STI)
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2010年11月28日—相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文shallowtrenchisolation的简称,翻译过来为浅槽隔离工艺。
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