sonos記憶體技術
在非揮發性記憶體的發展與研究過程中,矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,SONOS)記憶體元件具有許多優點備受矚目。然而隨著尺寸的微縮以及 ...,...SONOS快閃式記憶體元件設計。主要工作包含:建立high-knitride做為tunneloxide、成...
奈米級NAND型氮化物儲存快閃記憶體技術之研究
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由徐子軒著作·2009—本論文對於SONOS-type氮化物電荷儲存NAND型快閃記憶體元件作深入的探討。首先,分析SONOS和BE-SONOS結構的本質特性,發現SONOS(底層氧化層>40A)的抹除機制是一種 ...
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