sonos記憶體技術
在非揮發性記憶體的發展與研究過程中,矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,SONOS)記憶體元件具有許多優點備受矚目。然而隨著尺寸的微縮以及 ...,...SONOS快閃式記憶體元件設計。主要工作包含:建立high-knitride做為tunneloxide、成...
綜觀非揮發性記憶體技術-SONOS 與奈米晶體元件
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SONOS記憶體)有些不同。以下本文將針對上述.非揮發性記憶體元件操作機制、電性特性、材料以.及製作技術作一綜觀的探討。Poly-Gate.FloatingGate.Source.Drain.
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