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high k metal gate原理
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構,其中每層材料的厚度極薄,通常都在1-2nm以下,因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在...
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2021年1月24日—氧化铪的k=20,比SiO2高6倍,这意味着6nm厚的HfO2提供相当于1nmSiO2的EOT。在多晶硅和栅介质的界面上会形成一层耗尽层。这相当于加大了TOX,因而对性能 ...
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