電晶體轉導
Q在飽和區,電晶體為vgs.線性控制之電流源.Q點移至非飽和區時則不再是線性控制之電流源.轉導直接正比於導電參數Kn.,所以為W/L之.函數,即增加電晶體寬度則增加轉導 ...,閘極電壓可用來調整在氧化層與半導.體介面通道的電子電位能。在VGS超過Vt後...我們這裡只討論...
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
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閘極電壓可用來調整在氧化層與半導.體介面通道的電子電位能。在VGS超過Vt後...我們這裡只討論靠近氧化層介面之半.導體由電中性到形成反轉層所需閘極電壓的變化。
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