電晶體轉導
Q在飽和區,電晶體為vgs.線性控制之電流源.Q點移至非飽和區時則不再是線性控制之電流源.轉導直接正比於導電參數Kn.,所以為W/L之.函數,即增加電晶體寬度則增加轉導 ...,閘極電壓可用來調整在氧化層與半導.體介面通道的電子電位能。在VGS超過Vt後...我們這裡只討論...
簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳
- 轉導放大器ota
- 互導
- 半導體 gm
- gm大小
- bjt轉導
- transconductance mosfet
- class ab原理
- 轉導gm公式
- 跨導意義
- 跨導意義
- 互導
- transconductance單位
- 轉導放大器原理
- 電子學gm公式
- 轉導增益
- transconductance gm
- 電晶體轉導
- 互 導 增益
- single time constant
- transconductance定義
- 轉導gm
- 運算轉導放大器
- 電晶體轉導
- Transconductor 中文
- transconductance gm
一般場效電晶體(fieldeffecttransistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三.隻接腳,不過工作原理卻完全不同。FET的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G極),.
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **