雪崩光電二極體結構
由陳梓育著作·2006—雪崩型光偵測器具有高內部增益且靈敏度高之特性,適合應用於長距離的光纖通訊系統。本論文主要是探討以砷化銦鋁鎵為雪崩型光偵測器之倍增材料,砷化銦鎵為吸收層材料, ...,雪崩光電二極管是一種p-n結型的光檢測二極管,其中利用了載流子的雪崩倍...
雪崩光電二極體(APD)結構及原理
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雪崩光電二極體(APD)結構及原理,.當耗盡區中的場強達到足夠大(~3*1O^5V/cm)時,光生載流子將被加速到很高的速度,在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離, ...
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