淺溝渠隔離
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,浅槽隔离,即shallowtrenchisolation,简称STI。通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积...
淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究
- sti divot formation
- shallow trench isolation解釋
- locos製程
- sti etch back
- cmos sti
- shallow trench isolation wiki
- sti field oxide
- sti divot formation
- sti淺溝槽
- shallow trench isolation中文
- 淺溝渠隔離
- shallow trench isolation wiki
- shallow trench isolation半導体
- hump effect
- cmos sti
- 淺溝槽隔離
- hump effect
- shallow trench isolation半導体
- sti divot
- sti divot formation
- 淺溝渠隔離
- locos sti比較
- 淺溝渠隔離
- locos sti比較
- shallow trench isolation半導體
由黃國峰著作·2011—淺溝槽隔離行為特性決定於氧化層化學汽相沉積及化學機械平坦技術。隨著積體電路元件尺寸縮小,伴隨而至在製造過程發生的微缺陷問題,如:氮化矽層無法有效停止化學機械研磨 ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **