淺溝渠隔離
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,浅槽隔离,即shallowtrenchisolation,简称STI。通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积...
複晶矽緩衝層淺溝渠隔離技術之研究
- locos製程
- hump effect
- 淺溝渠隔離
- sti divot
- 淺溝槽隔離
- locos
- sti etch back
- deep trench isolation
- shallow trench isolation半導体
- sti淺溝槽
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation 用途
- 淺溝槽絕緣sti
- shallow trench isolation中文
- device isolation
- 淺溝渠隔離
- 淺溝渠隔離
- locos sti比較
- shallow trench isolation製程
- sti etch back
- shallow trench isolation process flow
- deep trench isolation process
- sti淺溝槽
- shallow trench isolation半導體
...淺溝渠隔離技術,此種將二氧化矽回填入淺溝渠再加上化學機械研磨(ChemicalMechanicalPolishing)的隔離技術,除了可以得到完全平坦(GlobalPlanarization)的隔絕 ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **