電子繞射

RHEED(反射高能電子繞射儀)是觀察晶體生長最重要的即時監測工具之一。它可以通過非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過衍射斑點獲得薄膜 ...,低能電子繞射（英語：Low-energyelectrondiffraction，LEED）是一種用以測定單晶表面結構的實驗手段，使用準直（英語：Collimatedlight）的低能電子束（20–200eV） ...,2016年9月27日—利用繞射技術對分子結構進行探討並不是什麼大新聞，X光繞射鑑定分子結構...

參考資訊如下
RHEED 反射式高能電子繞射儀& 影像分析系統

RHEED(反射高能電子繞射儀)是觀察晶體生長最重要的即時監測工具之一。它可以通過非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過衍射斑點獲得薄膜 ...

低能電子繞射

低能電子繞射（英語：Low-energy electron diffraction，LEED）是一種用以測定單晶表面結構的實驗手段，使用準直（英語：Collimated light）的低能電子束（20–200 eV） ...

分子震動live秀超快電子繞射(UED)

2016年9月27日 — 利用繞射技術對分子結構進行探討並不是什麼大新聞，X光繞射鑑定分子結構及對稱性早已具有廣泛應用，但X光只能跟電子進行交互作用；而電子卻能看到原子核 ...

實驗二電子繞射實驗

如同Χ 光射線所產生的繞射，電子束和晶體面的繞射方程式為： λ θ n d. = sin2. , n=1.2.3... ………………………………(A). 其中d ：晶體面間距，θ：入射電子束和晶體面的夾角，λ：電子 ...

實驗五電子繞射

原理. 這個著名的實驗以電子為例子，完全的演示了物質的波、粒二元性。 被高壓加速的電子穿過石墨的晶格面時產生了物質波的繞射作用，而繞射圖形打在塗有螢光層的屏.

說明

開啟微晶體電子繞射(microcrystal electron diffraction)的潛力

在微晶體電子繞射實驗中的連續旋轉，從微小單晶中產生了更高品質的溶菌酶蛋白質結構。且能使用與X射線晶體學所使用的相同軟體輕鬆處理數據。微晶體電子繞射的數據被快速 ...

電子的波動性

1927年戴維森與革末使用鎳晶體做電子繞射實驗，1961年瓊森完成電子的雙狹縫干涉實驗，可明確呈現電子的波動性。 下圖為：電子繞射圖像。

電子繞射

當電子波穿過晶體的時候，被晶體中的原子散射，散射的電子波互相之間干涉所產生的現象就是電子繞射。晶體中每個原子均會對電子進行散射，使得波長和方向發生變化。並且部分 ...

電子繞射_實驗原理

本實驗中將利用電子繞射管觀測不同波長的電子射束打擊到粉末狀的石墨晶體薄膜後所產生的電子繞射圖樣，以應用物質波的理論及布拉格定律，求得石墨晶體的相鄰兩布拉格平面間 ...

電子繞射〈Electron diffraction〉 - 科學Online

2010年11月29日 — 藉由電子的發射，與想研究的物質起交互作用，來觀察其繞射的圖譜，進而了解物質的結構，是電子繞射技術重要的應用。這個現象的產生是因為光與粒子的二象性 ...