sonos記憶體技術
sonos記憶體技術

在非揮發性記憶體的發展與研究過程中，矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，SONOS)記憶體元件具有許多優點備受矚目。然而隨著尺寸的微縮以及 ...,...SONOS快閃式記憶體元件設計。主要工作包含：建立high-knitride做為tunneloxide、成...

綜觀非揮發性記憶體技術－SONOS 與奈米晶體元件

SONOS記憶體)有些不同。以下本文將針對上述.非揮發性記憶體元件操作機制、電性特性、材料以.及製作技術作一綜觀的探討。Poly-Gate.FloatingGate.Source.Drain.

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國立陽明交通大學機構典藏：新穎的SONOS儲存單元製程之研究

在非揮發性記憶體的發展與研究過程中，矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，SONOS)記憶體元件具有許多優點備受矚目。然而隨著尺寸的微縮以及 ...

高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究

... SONOS 快閃式記憶體元件設計。主要工作包含：建立high-k nitride 做為tunnel oxide、成長高可靠性低漏電流tunnel oxide 技術、開發metal-storage node 材料，建立相關 ...

低電壓操作SONOS快閃式記憶元件之機制及可靠性研究

氮化矽記憶體(SONOS memory) 將是未來非揮發性記憶體元件的主流，它相較於快閃記憶體(flash)，有著較簡單的結構、簡單的製程，而且可以比傳統浮停閘結構快閃記憶體有更 ...

SONOS記憶元件之模擬與模型研究

... 技術、結構、操作機制和電路佈局都有著快速的進步。從最早的唯讀記憶體(Read Only Memory, ROM)、可程式唯讀記憶體(Programmable Read Only Memory, PROM)，到可抹除 ...

小辭典－SONOS快閃記憶體

2011年7月27日 — 根據各家快閃記憶體廠的研究，浮動閘極有其技術上的限制，如NOR晶片在45奈米以下、NAND晶片在32奈米以下，因過薄的介電層會引起漏電，導致資料相互干擾， ...

奈米級NAND型氮化物儲存快閃記憶體技術之研究

由 徐子軒 著作 · 2009 — 本論文對於SONOS-type氮化物電荷儲存NAND型快閃記憶體元件作深入的探討。首先，分析SONOS 和BE-SONOS結構的本質特性，發現SONOS (底層氧化層>40A) 的抹除機制是一種 ...

Flash技術的現在與未來

2010年9月23日 — 半導體記憶體家族包括揮發性的RAM和非揮發性的NVM，其中NVM技術以浮動閘(Floating Gate)技術為主流，正在發展的技術為SONOS-Type，未來更新的技術則為 ...

綜觀非揮發性記憶體技術－SONOS 與奈米晶體元件

SONOS 記憶體) 有些不同。以下本文將針對上述. 非揮發性記憶體元件操作機制、電性特性、材料以. 及製作技術作一綜觀的探討。 Poly -Gate. Floating Gate. Source. Drain.

SONOS

sonos記憶體技術

在非揮發性記憶體的發展與研究過程中，矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，SONOS)記憶體元件具有許多優點備受矚目。然而隨著尺寸的微縮以及 ...,...SONOS快閃式記憶體元件設計。主要工作包含：建立high-knitride做為tunneloxide、成長高可靠性低漏電流tunneloxide技術、開發metal-storagenode材料，建立相關 ...,氮化矽記憶體(SONOSmemory)將是未來非揮發性記憶體元件的主流，它相較於快閃記憶...

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