![shallow trench isolation中文](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
淺槽隔離_百度百科
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation解釋
- shallow trench isolation process flow
- sti divot
- locos sti比較
- shallow trench isolation中文
- corner rounding半導體
- shallow trench isolation半導體
- 淺溝槽隔離
- locos sti比較
- sti locos
- sti divot formation
- ild半導體
- 淺溝槽隔離
- locos sti比較
- shallow trench isolation解釋
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation半導體
- 淺溝槽絕緣sti
- hump effect
- reverse narrow width effect
- shallow trench isolation半導体
- shallow trench isolation半導体
- locos sti比較
- sti淺溝槽
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **