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[var.media_title;onformat=retitle] :: 哇哇3C日誌
metal gate半導體
metal gate半導體

2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法,尤指一種實施後閘極...

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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...

TW201904063A

本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法,尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high-k last)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — 因為本質是半導體,在小尺寸下,閘極會有空乏層,包含有三大問題 ... 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K,Poly gate換成metal gate。 涉及 ...

五分鐘讓你看懂FinFET

2015年9月15日 — 在圖一的MOSFET 中,「閘極長度(Gate length)」大約10 奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這 ...

具有不同臨界電壓的金屬閘極的半導體製程及半導體結構

Gate electrode with stabilized metal semiconductor alloy-semiconductor stack. KR102212267B1 * 2014-03-19 2021-02-04 삼성전자주식회사 반도체장치및그제조방법.

栅极材料的革命(Gate Electrode) (转)

2019年6月15日 — 上个世纪70年代,MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单,我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate,工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

淺談先進電晶體:新一輪晶片製程中,誰勝出?有何發展趨勢?

2022年1月21日 — 隨著傳統的半導體尺寸微縮,電晶體的閘極長度(gate length)也逐漸減小。實際上,閘極長度和技術節點的數值是不相等的,且在22 奈米技術節點以後,閘極 ...

金屬氧化物半導體場效電晶體

因為MOSFET跟英文單字「metal(金屬)」的第一個字母M,在當下 ... 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。

高介電係數閘極介層技術

... Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深. 次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵 ... △圖四Single Metal與Dual Metal Gate的能帶示意圖. Page 7. 第14 期電子與材料雜誌.


metalgate半導體

2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法,尤指一種實施後閘極(gatelast)製程與後閘極介電層(high-klast)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...,2023年6月11日—因為本質是半導體,在小尺寸下,閘極會有空乏層,包含有三大問題....