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Q在飽和區，電晶體為v gs. 線性控制之電流源. Q點移至非飽和區時則不再是線性控制之電流源. 轉導直接正比於導電參數K n. ，所以為W/L之. 函數，即增加電晶體寬度則增加轉導 ...

閘極電壓可用來調整在氧化層與半導. 體介面通道的電子電位能。 在VGS超過Vt後 ... 我們這裡只討論靠近氧化層介面之半. 導體由電中性到形成反轉層所需閘極電壓的變化。

✧ 轉導放大器：輸入電壓，輸出為電流. ✧ 一旦Q 點建立則可發展vgs、id 及vds ... ✧ 電晶體之增益轉導gm. Page 3. (1) IDQ 愈大→gm 愈大. (2) 若Vds 大於Vds,sat ...

在本章中你將學到. ▫ MOS 電晶體的物理結構，以及它是如何運作的。 ▫ 電晶體中兩端的電壓是如何操控第三端的電流，以. 及描述這些電流–電壓特性的方程式。

源極順向轉換互導(gm)：單位”西門子”(Siemens以字母S 表示)，或姆歐( )，典型值為1mS－20mS。 定義：gm＝. 0. = ds gs d v v i. 相關式：A.JFET 及空乏型MOSFET 的gm ...

一般場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳，不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate，簡稱G 極)，.

轉導（英語：Transconductance）是電子元件的一項屬性，「跨導」在台灣稱「轉導」、「互導」。 電導（G）是電阻（R）的倒數；而轉導則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。 通常用gm 表示(Guide_mutual導引_互轉跨）。

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）和場效應電晶體（Field. Effect Transistor，FET）。場效應電晶體又分為金屬氧化半導體場效 ...

當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性 ...