電致遷移

本发明提供一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移现象的方法。该方法是首先于该半导体晶片表面以及一金属层表面形成一缓冲层,然后进行一离子注入制作工艺, ...,電致遷移線-孔洞(Line-via)測試結構:(A)電子流向下流;(B)電子流向上流。良好的銅導線介面工程需要具有兩種優勢,減緩銅原子沿著快速介面的擴散速度.,2008年3月28日—在表面物理及半導體產業常聽見電致遷移..金屬導線在高電流(高電場)的長時間作用之下..金屬原子本...

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本发明提供一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移现象的方法。该方法是首先于该半导体晶片表面以及一金属层表面形成一缓冲层,然后进行一离子注入制作工艺, ...

TKS 真空科技

電致遷移線-孔洞(Line-via)測試結構:(A)電子流向下流;(B)電子流向上流。 良好的銅導線介面工程需要具有兩種優勢,減緩銅原子沿著快速介面的擴散速度.

[請益] 電致遷移(electron migration)的原理

2008年3月28日 — 在表面物理及半導體產業常聽見電致遷移.. 金屬導線在高電流(高電場)的長時間作用之下.. 金屬原子本身會朝向電子流動的方向發生移動.. 而使得線材發生 ...

第一章、序論

由 張志忠 著作 · 2009 — 當電子流通過的. 鎳層遭到電遷移破壞後，銅原子因為電子流的驅動擴散進入銲錫內. 部與錫反應，最後在基板端及銲錫內部也形成大量的介金屬化合. 物，此介金屬化合物經EDX ...

简单介绍一下电迁移现象原创

2022年1月9日 — 电迁移简写为EM，electromigration，这是一种很基本的电学现象，可能在电路课上讲的少，反而物理课上会听过。EM对现在的芯片设计有很大影响，已经成为 ...

錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究

由 楊宗霖 著作 · 2010 — 本文探討無鉛覆晶錫銀銲錫接點於150oC 與160oC 的溫度下，通電電流. 0.8 安培之電遷移行為。破壞模式皆為銅金屬墊層消耗、介金屬成長、孔洞. 生成、擴大至試片的完全破壞。

電子半導體電致遷移Electromigration。

是指在大電流持續通過金屬導線時，導線中越細的地方，會是電流密度越高的地方，電場也會越高，而導致金屬原子沿著材質本身的晶粒邊界，往電子流動的方向移動的現象。

電致遷移

2007年7月12日 — 電致遷移. 是指在大電流持續通過金屬導線時，導線中越細的地方，會是電流密度越高的地方，電場也會越高，而導致金屬原子沿著材質本身的晶粒邊界，往 ...

電遷移

因為電流密度對電遷移的決定性影響力，掌握適當控制電流密度的關鍵因素對於. 成功設計、製造、與使用IC（或其他可類比的系統）是非常重要的。 雖然我們總認定美麗的花海是 ...

電遷移

電遷移（英語：Electromigration）是由於通電導體內的電子運動，把它們的動能傳遞給導體的金屬離子，使離子朝電場反方向運動而逐漸遷移，導致導體的原子擴散、損失的 ...