背照式cmos

背照式结构的CMOS最早出现于2008年，其基本组成与传统CMOS一样，只是排布顺序不一样。如上图右边图片所示，由上到下依次是：片上透镜、滤光片、光电二极管以及基板、金属排 ...

2023年5月30日 — 提到CMOS sensor 影像感測器，很多人知道有所謂前照式與背照式這兩種形式,但到底差別在何處? 又為何現在主流均採用了背照式這種類的影像感測器, ...

2020年7月18日 — 背照式CMOS能够具有更高的光线利用效率，这样，在低照度环境下，就具有更高的灵敏度。同时，由于电路不会影响光电二极管接收光线，因此，电路层可以做得更 ...

2015年7月22日 — 背照式結構是堆疊式(Stacked)結構的基礎，所以第N代堆疊式CMOS也被稱作第N+1代背照式CMOS(如IMX214是索尼的第2代堆疊式CMOS，也被稱作第3代背照式CMOS)。

用于是将它转方向让光线进入感光极管来增大感光量的设备.

所謂背照式CMOS傳感器就是將它掉轉方向，讓光線首先進入感光二極管，從而增大感光量，增大感光量低光照條件下的拍攝效果。索尼的背照式CMOS傳感器商品名稱為Exmor R， ...

2011年3月23日 — 背照式CMOS感光元件英文稱為Back-illuminated CMOS sensor，由Sony在2008年研發成功，並於2009年開始搭載於DSC-TX1、DSC-WX1相機上，背照式CMOS感光 ...

与传统型的前照式CMOS图像传感器相比，不仅感光度达到2倍左右，还实现了低噪点。通过从硅电路板的背面进行光的照射，可避免受到配线及晶体管的影响，增大单位像素的进光量 ...

2023年5月13日 — 從半導體晶片製造的角度來看，背照式CMOS 擁有比FSI CMOS 更多的金屬布線層。當金屬布線層越複雜，製造時間便越長。同時也會增加布線失敗等問題的機率， ...