異向磁阻
Fert[1]和Gruenberg兩人在1988年發.現鐵/鉻多層膜在溫度4.2K的環境下有接近.50%的磁阻變化率(圖1),由於其值遠大於異.向性磁阻的變化率,故取名為巨磁阻.(GMR) ...,2009年9月15日—...電阻。2.異向性磁阻(AnisotropicMagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的變化,是...
銅鎳合金與鉑、鈀多層膜的異向性界面磁阻研究
- magnetoresistive sensors
- magnetoresistive中文
- magnetoresistive sensors
- magnetoresistive中文
- amr sensor
- magnetoresistive中文
- 異向磁阻
- magnetoresistive sensoren
- g sensor 行車紀錄器
- magnetoresistive
- validity sensor
- magnetoresistive中文
- ordinary magnetoresistance
- anisotropic magnetoresistive amr sensors
- mr sensor原理
- 異向磁阻
- anisotropic magnetoresistive amr sensors
- pir sensor
- giant magnetoresistive (gmr) effect
- magnetoresistive effect
- 異向磁阻
- ordinary magnetoresistance
- magnetoresistive sensor
- tunable resistive pulse sensing
- Magnetoresistive sensor working principle
異向性磁阻(AnisotropicMagnetoresistance,AMR)效應是指在磁性材料中的電阻率,當磁場平行於電流時會大於磁場垂直於電流時的值(ρH‖I>ρH⊥I)。而在薄膜材料中, ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **