準分子雷射退火

本研究使用波長為248nm的KrF準分子雷射退火，針對薄膜電晶體之主動層氧化銦鎵鋅的氧空缺含量進行調整，藉由脈衝雷射提供的能量提升薄膜內氧空缺數量，進而達到提升載 ...,在上述之習知技術中，在用以作橫向結晶成長的雷射退火工程、及作為橫向結晶成長的前處理工程的準分子雷射退火工程中，係在寬廣區域使用整形為線狀的雷射光來進行雷射退火。,本研究運用XeF準分子.雷射為加熱熱源，直接於900Å之非晶矽薄膜進行.退火，並運用...

參考資訊如下
KrF準分子雷射退火於氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之電性影響分析

本研究使用波長為248 nm 的KrF準分子雷射退火，針對薄膜電晶體之主動層氧化銦鎵鋅的氧空缺含量進行調整，藉由脈衝雷射提供的能量提升薄膜內氧空缺數量，進而達到提升載 ...

TW202034388A

在上述之習知技術中，在用以作橫向結晶成長的雷射退火工程、及作為橫向結晶成長的前處理工程的準分子雷射退火工程中，係在寬廣區域使用整形為線狀的雷射光來進行雷射退火。

XeF 準分子雷射退火之低溫多晶矽薄膜再結晶特性研究與分析

本研究運用XeF 準分子. 雷射為加熱熱源，直接於900Å 之非晶矽薄膜進行. 退火，並運用光學檢測技術，即時線上觀察其相. 變化機制，並運用AFM 原子力顯微鏡，觀察矽薄. 膜之 ...

準分子退火矽膜之再結晶機制研究

2008年5月23日 — 其中，Backside ELA為準分子雷射光經過玻璃基板後，先照射SiO2後再照射非晶矽膜，由於SiO2對於準分子雷射之吸收係數與非晶矽相比差5個等級(order)，因此 ...

準分子雷射正面與背面退火矽膜的再結晶特性研究

本研究運用具奈秒解析度之原位即時光學檢測技術，研究準分子雷射正面退火(Front excimer laser annealing, Front ELA)與背面退火(Back excimer laser annealing, ...

準分子雷射退火技術開發低成本

本文將介紹以準分子雷射對硫化鎘(CdS) 光導體元件進行表面改質之技術，利用此種快速、高光子能量以. 及無需真空環境與製程氣體便可直接於大氣下進行之表面改質技術，可以 ...

準分子雷射退火矽膜之凝固速率研究與分析

由 郭啟全 著作 · 2008 — 運用準分子雷射結晶技術(excimer laser crystallization, ELC)來製作低溫多晶矽(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS)已經成為主流。

發明專利說明書

由 謝嘉民 著作 · 2006 — 習知關於雷射退火結晶非晶矽的文獻皆屬於準分子雷射退火(ELA),高. 能脈衝綠光,或穩定功率輸出綠光雷射退火的範疇,其所需的退火能量密. 度較高,且光能吸收效率對雷射波長,基 ...

飛秒雷射退火

由 王怡超 著作 · 2007 — 這兩項與準分子雷射退火複晶矽TFT極為接近的關鍵特性皆說明了飛秒雷射退火未來應用的潛力。 為了克服元件尺寸減小時造成的短通道效應，超淺介面佈植活化在高速元件例如金氧 ...