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sidewall spacer用途
2011年8月5日—侧墙的形成主要有两步:1.在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2.然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性,刻蚀工具使用 ...,,由李明才著作·1991—目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕刻的非等向性蝕刻...
半導體製程,經歷了哪些重大的發展節點?
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2018年1月1日—Spacer自對準,又不要光刻又能給溝道橫向擴散留出空間,搞到後來不是自對準的工藝fab都各種不爽,其實就是懶。Cu導線和CMP,解決了鋁線的電遷移問題, ...
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