shallow trench isolation製程
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,淺溝槽隔離(ShallowTrenchIsolation,STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術,可以防止相鄰半導體元...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
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本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
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