shallow trench isolation半導體
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體...
半導體製程學習筆記
- sti usg
- sti locos
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation半導体
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation半導體
- 屏蔽氧化層
- shallow trench isolation半導体
- epi製程
- corner rounding半導體
- sti divot formation
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation半導体
- shallow trench isolation process flow
- shallow trench isolation中文
- sti divot
- locos製程
- sti divot
- deep trench isolation process
- locos製程
- locos sti比較
- sti淺溝槽
- shallow trench isolation半導体
- shallow trench isolation解釋
- shallow trench isolation解釋
2023年7月5日—1.STI.SideshareEnglishversion;ShallowTrenchIsolation;其shallow是相對LOCOS來說;為元件(nFET/pFET)之間絕緣結構;步驟.(1)前置處理:由下到 ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **