shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
淺槽隔離
- sti divot
- usg半導體
- pad oxide半導體
- hump effect
- deep trench isolation
- deep trench isolation process
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation中文
- shallow trench isolation中文
- device isolation
- shallow trench isolation中文
- sti locos
- sti divot formation
- sti divot formation
- corner rounding半導體
- sti locos
- 淺溝槽絕緣sti
- shallow trench isolation解釋
- usg半導體
- locos sti比較
- shallow trench isolation解釋
- locos sti比較
- locos sti比較
- ild半導體
- 淺溝槽絕緣sti
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **