![ldd半導體](https://host.easylife.tw/pics/author/yohnu1/201803/Font/first.png)
ldd半導體
由羅以倫著作·2010—降低糾結效應最直接的方法就是限制撞擊解離的貢獻,以使汲極接面的電場.降低,包括汲極輕摻雜(LDD)、汲極補償(DrainOffset)、多重閘極(MultipleGates).平均分攤汲極 ...,2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作...
輕摻汲極與袋型結構佈植濃度對超 ...
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此兩種製程的功用,LDD主要是防.止熱載子效應,並提升元件電性;而Pocket主要目的是抑制汲極引起的位能下降(Drain-Induced.BarrierLowering,DIBL)造成臨界電壓的變化 ...
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