igzo專利

由冉曉雯著作·2012—其分別為P3HT,PbPC,IGZO的吸收光譜。可以瞭.[0027].[0028].解到,它們對於不同光...如申請專利範圍第1項所述之光電晶體,其更包含一濾光.層設於該光吸收層上,該濾光層 ...,如申請專利範圍第6項所述之銦鎵鋅氧化物(IGZO)奈米粉體的製備方法，其中該銦金屬化合物包括硝酸銦、硫酸銦、亞硫酸銦、磷酸銦、次磷酸銦，該鎵金屬化合物包括硝酸鎵、硫酸 ...,...IGZOTFTs結構取代。再者，底部閘極製程不易進行自我對準...

參考資訊如下
光電晶體

由 冉曉雯 著作 · 2012 — 其分別為P3HT, PbPC,IGZO的吸收光譜。可以瞭. [0027]. [0028]. 解到,它們對於不同光 ... 如申請專利範圍第1項所述之光電晶體,其更包含一濾光. 層設於該光吸收層上,該濾光層 ...

銦鎵鋅氧化物（igzo）奈米粉體及其製備方法與濺鍍用靶材

如申請專利範圍第6項所述之銦鎵鋅氧化物(IGZO)奈米粉體的製備方法，其中該銦金屬化合物包括硝酸銦、硫酸銦、亞硫酸銦、磷酸銦、次磷酸銦，該鎵金屬化合物包括硝酸鎵、硫酸 ...

氧化物薄膜電晶體

... IGZO TFTs結構取代。再者，底部閘極製程不易進行自我對準離子佈值(self-aligned ... 專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍 ...

I529990

如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中該第一電極層之材質係為氧化銦錫(ITO)、氧化銦加氧化鈦(ITiO)、加鉬氧化銦(IMO)、氧化鋅鎵銦(IGZO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅鎵 ...

IGZO專利回顧與分析｜airiti Library ...

李沛錞、蘇信寧（2009）。以專利引證網絡分析探討技術發展之動態演化。科技管理學刊，14(3)，64-107。https://doi.org/10.6378/JTM.200909.0064. 國際替代計量. IGZO專利 ...

IGZO专利诉讼尘埃落定，细野秀雄教授的发明得到保障

2019年6月20日 — IGZO专利诉讼尘埃落定，细野秀雄教授的发明得到保障 · 第一家授权企业为三星电子 · 日本的创业活动指数只有中国的一半 · 日本科学未来馆科学交流员 ...

次世代IGZO液晶面板技術研發概況

2013年4月10日 — 夏普公司於2012年4月13日宣布，該公司於4月起在龜山第2廠正式量產採用IGZO材料的液晶面板，從發明者取得基本技術專利授權並結合自行開發的量產化技術是 ...

IGZO基礎專利非夏普所有！優勢將於1

2012年12月10日 — Sharp並指出，將IGZO應用於液晶及進行量產的製造技術相關專利是由Sharp和半導體能源研究所所擁有，而競爭對手要回避該些專利生產IGZO面板是很困難的。

氧化銦鎵鋅

IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感 ... 日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，2012年夏普 ...

氧化銦鎵鋅

IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感 ... 日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，2012年夏普 ...