hkmg process flow
本发明涉及简化的先栅极HKMG制造流程,当依据先栅极HKMG方法形成场效应晶体管时,在硅化步骤以前必须移除形成于栅极电极的顶部上的覆盖层,从而导致在晶体管的栅极电极 ...,GrapheneaFoundryqualifiesaHKMGprocessflowwithanEOTdownto5nm,anindustryfirst.Following...
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2020年11月28日—...(ProcessFlow)改變,即從原先的Gate-first製程修改成Gate-last製程(如下圖)。但HKMG的手工藝技術又有細分為兩種,Intel在2009年發表了新的製程技術。
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