Hybrid bonding TSMC
2024年6月4日—Withthoseoutoftheway,theuppermostinterconnectlevelscanconnectbettertosmallerhybridbondingbondpads,TSMCresearcherscalculate.,2024年2月9日—Hybridbondingisusedforthevertical(or3D)stackingofchips.Thedistinguishingfeatureofhybridbondingis...
台積技術亮點總整理!一次掌握Hybrid bonding、CFET、矽 ...
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2024年5月24日—張曉強指出,台積電目前HybridBonding的鍵合間距(Bondpitch)密度目前可做到6微米,未來可到2~3微米;同時推進微凸塊(MicronBump)技術,目前在30 ...
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