F-N穿隧與直接穿隧最不同之處就在於會隨著元件的操作電壓上升,而使.穿隧發生的機率上升。我們使用TCAD模擬軟體,利用閘極電壓將電子充進氮化層後,再將所有的偏壓歸零 ...,,半導體中的隧道效應(又稱穿隧效應,tunnelingeffect)是指量子穿隧效應體現在半導體元件...
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