半導體製程學習筆記

CMOS Integration. • Devices are built into a common p-type substrate (wafer). • Shallow Trench Isolation (STI) provides electrical isolation between devices.

2018年5月9日 — 該技術目前整合了三種隔離類型：深溝槽隔離(DTI)，用於隔離各種不同的電路區塊；CMOS邏輯採用淺溝槽隔離(STI)；而LDMOS功率電晶體區塊則使用矽上局部 ...

2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空.

STI is generally used on CMOS process technology nodes of 250 nanometers and smaller. Older CMOS technologies and non-MOS technologies commonly use ...

▫ CMOS IC 晶片通常使用<100> 晶圓. ▫ 二極體和BiCMOS 晶片通常使用<111> ... STI: STI光罩. 8. STI: 氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻，光阻剝除. P型磊晶層. P型晶圓. N型 ...

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

2010年11月28日 — 相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文shallow trench isolation的简称，翻译过来为浅槽隔离工艺。

... CMOS(Complementary MOS)由一個nMOS與pMOS組成。==只有在狀態改變時才會耗電(動態功率耗損)，可以讓整體元件更省電==  ...

由 林義勛 著作 · 2008 — Analysis of STI-Induced Mechanical Stress-Related Kink Effects For Nanometer PD SOI CMOS Devices. 林義勛(Yi-Hsun Lin). 指導教授： 郭正邦. 國立臺灣大學/電機資訊 ...

由 P Sallagoity 著作 · 1998 · 被引用 30 次 — This paper presents an improved STI process which has been developed for a 0.18 μm CMOS technology. A new CVD silicon oxide deposition process achieves ...