10奈米

2020年11月18日 — 根據IC Insights報告預測，2024年開始，先進（小於10奈米）製程的IC產能將從2020年佔據IC產業總產能的10%，成長至2022年首次超過20%，並在2024年佔據 ...

三星電子與聯發科在2017年推出10奈米器件，三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於第一季問世。

台積公司的10奈米鰭式場效電晶體製程技術（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）締造專業積體電路製造服務領域在效能、功耗及面積（Performance，Power，Area；PPA） ...

10奈米製程. 台積公司的10奈米鰭式場效電晶體製程技術（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）締造專業積體電路製造服務領域在效能、功耗及面積... 16/12奈米製程. 台積 ...

2023年10月13日 — 而在更下一階段的製程開發，南亞科表示，10奈米第三階段目前在做測試晶片，進度符合預期，也開始EUV製程的開發，這部分是與歐廠合作，透過對方設備做開發 ...

值得一提的是，台積電也首次明確指出10奈米製程量產時間。張忠謀說，2013年開始進行10奈米技術的開發，並計劃於2015年試產、2016年量產，而10奈米技術將是繼16-FinFET製程 ...

2023年4月12日 — 閘極長度會隨製程技術的進步而變小，從早期的0.18、0.13微米，進步到90、65、45、22、14奈米，到目前最新的製程10、7、5奈米，甚至未來的3奈米。當閘極 ...

... 10m。 1奈米（nm）= 10 埃（Å）= 10-9m. 現時很多材料的微觀尺度都是以奈米為單位、半導體製程標準在2000年代以後大多是以奈米表示。 參見 編輯 · 奈米技術 · 國際單位制 ...

2023年9月4日 — 總結來說，目前DUV 的物理極限就僅限制在最高7奈米製程，且良率效能恐怕相當低落，業界人士指出，中芯在未能取得EUV 機台之前，要大量生產7奈米製程仍有 ...