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準分子雷射退火
本研究使用波長為248nm的KrF準分子雷射退火,針對薄膜電晶體之主動層氧化銦鎵鋅的氧空缺含量進行調整,藉由脈衝雷射提供的能量提升薄膜內氧空缺數量,進而達到提升載 ...,在上述之習知技術中,在用以作橫向結晶成長的雷射退火工程、及作為橫向結晶成長的前處理工程...
準分子雷射退火矽膜之凝固速率研究與分析
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由郭啟全著作·2008—運用準分子雷射結晶技術(excimerlasercrystallization,ELC)來製作低溫多晶矽(low-temperaturepolycrystallinesilicon,LTPS)已經成為主流。
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