vls成長機制
4-1VLS成長機制成長氧化鋅奈米線.現今有許多種製備奈米線的方法,但唯獨以氣-液-固(VLS)方法是最容.易控制奈米線的方式,根據文獻.[44].的收集,我們可以評估以此法 ...,2011年4月20日—一般常採用vapor-liquid-solid(VLS)法來成長一維氧化鋅奈米材料,本研究室則首...
VLS機制.的特徵是成長出來的線狀產物,其末端會有一個由.催化劑和產物所共同組成的晶體。圖10為氮化鎵奈米線的TEM影像,其中奈.米線的末端有一個奈米粒子,經由 ...
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第四章結果與討論
4-1 VLS 成長機制成長氧化鋅奈米線. 現今有許多種製備奈米線的方法,但唯獨以氣-液-固(VLS)方法是最容. 易控制奈米線的方式,根據文獻. [44]. 的收集,我們可以評估以此法 ...
高方向性一維氧化物奈米結構之成長與特性分析
2011年4月20日 — 一般常採用vapor-liquid-solid(VLS)法來成長一維氧化鋅奈米材料,本研究室則首先以化學氣相沉積法,在無觸媒與模板存在的成長環境下,成功地成長高方向性 ...
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由 吳佳玲 著作 · 2003 — 利用VLS 機制成長奈米線,可藉由催化劑顆粒之大小來控制. 奈米線之直徑分布;此外藉由催化劑薄膜或顆粒的選擇性沉積,可於基板. 上選擇性成長奈米管或奈米線[30,64,100]。
第一章、前言
由 吳佳玲 著作 · 2003 — 以VLS 機制為例,金屬扮演催化劑之角色來幫助奈米線成. 長,而如何選擇適當的催化劑須考慮催化劑能否和反應物互溶形成共晶,. 其中金是成長氧化鋅奈米線時最常使用之催化劑 ...
王秋燕教授_先進半導體材料與元件研究室
VLS 機制成長二氧化錫奈米線暨微結構與元件特性分析. 二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(thermal vapor deposition method)來成長,為避免奈米線的直. 徑分布不均,成長方式由 ...
一維半導體奈米材料的研究
(a)以VLS機制成長奈米線,其成長階段. 分成形成合金,成核,析出成長。(b)三. 段成長Ge奈米線於Au-Ge 相圖示意圖。 [5]. 基材上形成奈米尺度之小合金液滴,再經降溫. 或融入之 ...
銅觸媒成長奈米碳管機制探討
由 林建宏 著作 · 2019 — ... VLS)的成長模式。一般闡述奈米碳管成長過程的重要機理,特別是以鐵族金屬為主的觸媒作為成長奈米碳管的催化劑時,VLS模式是最常被引用的模式。但自2006年後,漸有學者 ...
半導體奈米材料的製備、鑑定及應用
VLS 機制. 的特徵是成長出來的線狀產物,其末端會有一個由. 催化劑和產物所共同組成的晶體。 圖10 為氮化鎵奈米線的TEM 影像,其中奈. 米線的末端有一個奈米粒子,經由 ...