metal gate 製程
...製程技術以採用高介電層/金屬閘極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理,並在製程中施加較低溫的PMA,可得到功...
高介電常數金屬閘極(High
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2019年8月5日—...製程技術到28nm和20nm,閘極介電層材料的改變帶來了更好的電性功能表現,取代了傳統的複晶閘極(Poly-SiGate)和金屬矽化物閘極(MetalSalicideGate ...
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