sti usg
•USG作為STI應用.•USG和FSG作為IMD應用.USG和FSG作為IMD應用.•PMD作為PMD應用.65.Page66.介電質薄膜的特性.•折射率.•厚度.•均勻性.•應力.• ...,STI:STI光罩.8.STI:氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻,光阻剝除.P型磊晶層.P型晶圓.N型...USG沈積/蝕刻/沈積/CMP.IMD1.24.銅導...
STI:淺溝槽絕緣;LDD:低摻雜汲極;ILD:金屬層間介電質層.Page2.3.LPCVD系統...CMPUSG,W.CMPUSG,W.CMPUSG.W.CMPUSG.CMOSIC.16.導電薄膜.•Poly-Si- ...
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化學氣相沉積與介電質薄膜
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Ch13 Process Integration
STI: STI光罩. 8. STI: 氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻,光阻剝除. P型磊晶層. P型晶圓. N型 ... USG 沈積/蝕刻/沈積/CMP. IMD 1. 24. 銅導線. P-Epi. P-Wafer. N-Well. P-Well n+.
第十章介電質薄膜SiO , Si N
STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層. Page 2. 3. LPCVD 系統 ... CMP USG, W. CMP USG, W. CMP USG. W. CMP USG. CMOS IC. 16. 導電薄膜. • Poly-Si- ...
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[問題] 請教一下版上前輩半導體製程的問題
2008年10月30日 — ... sti跟usg這兩個名詞usg(undoped silicate glass)用來作為相鄰電晶體的電性隔絕感覺usg填充只是sti的一個步驟但是看了CMOS剖面圖卻同時有出現usg跟sti.