shallow trench isolation半導體
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體...
淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰
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渠隔離技術(ShallowTrenchIsolation,.STI)比...2.LauraPeters,“ChoicesandChallengesforShallow.TrenchIsolation”,SemiconductorInternational,.April, ...
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